技术编号:17926441
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体材料制备领域,尤其涉及一种半导体晶体的生长装置及方法。背景技术GaAs具有高的电子迁移率、直接带隙、较宽的禁带宽度等优良的电学性能,在光电子和微电子领域得到了广泛的应用。微电子超高速电路需要高电阻(大于107 Ω·cm)的半绝缘GaAs单晶。一般来说,高纯的GaAs本身具有半绝缘性,但由于制备工艺复杂、成本高,工业生产根据补偿机理来制备高电阻的半绝缘GaAs单晶。液封直拉法(LEC)生长的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)单晶被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料。随着器件和...
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