技术编号:17931201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及流体加热装置。背景技术以往,在半导体制造工序的预工序中,存在许多使用加热至高温的纯水来清洗半导体晶片的工序。作为现有的纯水的加热方法,专利文献1已经公开一种技术,其使以室温供给的纯水通过热源,由此而加热至目标温度,向清洗处理槽中供给。在所述专利文献1公开的技术中,在将被加热的纯水向清洗处理槽供给的配管上设有排水阀,持续排出被加热的纯水。在该方法中,由于如下的原因,在未对半导体晶片进行清洗期间也需要流动有加热至高温的纯水。第一,是因为如果中断加热,则需要在下一次的清洗工序中再次进行加热,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。