技术编号:17932650
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及硬掩模及制造硬掩模的方法。背景技术在半导体器件之类的电子器件的制造中,为了在含硅膜上形成孔或沟槽之类的开口,有时对含硅膜进行等离子蚀刻。为了形成这样的开口,可在含硅膜上设置掩模。作为掩模,已知有抗蚀剂掩模。近年来,电子器件内的元件具有三维结构。与此同时,在含硅膜上形成相当深的开口。然而,在含硅膜的等离子蚀刻中,抗蚀剂掩模大量消耗。因此,可使用硬掩模。作为硬掩模,如专利文献1~3中所记载,可使用由硅化钨或氮化钛(TiN)形成的硬掩模。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开20...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。