技术编号：17932654
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具备以氧化物半导体为主要成分的半导体层的半导体装置的制造方法及半导体装置。背景技术作为具备氧化物半导体为主要成分的半导体层的薄膜晶体管，已知具备形成于覆盖栅极电极的栅极绝缘体层上的半导体层和形成于半导体层上的绝缘体层的构成。在绝缘体层与未被绝缘体层覆盖的半导体层的部分形成有金属层。从该金属层形成源极电极和漏极电极时，绝缘体层发挥蚀刻阻止层(Etching Stopper)的功能。此种绝缘体层例如是氧化硅(SiO2)层(例如参照专利文献1)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]...
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