技术编号:17933118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及激光装置。背景技术近年来,在半导体曝光装置(以下称为“曝光装置”)中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。一般而言,在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长为248nm的紫外线的激光束的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的激光束的ArF准分子激光装置。作为新时代的曝光技术,曝光装置侧的曝光用透镜与晶片之间被液体充满的液浸曝光已经实用化。在该液浸曝光中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。