技术编号:17933577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及计算机存储器技术领域,特别是一种共享电阻器的多芯片计算机存储设备。背景技术DRAM和闪存技术技术已经有多年的历史,随着时间变化,基础工艺基本保持不变,例如快速页面模式(FPM)、扩展数据输出(EDO)、同步DRAM(SDRAM)、双数据速率1-4(DDR1、DDR2、DDR3、DDR4)等。图1中显示了DRAM的基本架构,对外部提供的行地址进行解码并导致激活字线WL,例如连接到8192个单个存储单元的门,并开始传感过程,用于放大存储在传感放大器SA中的8192个单个存储单元的弱信号。在...
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