技术编号：17933580
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请是专利号：201580028428.X，发明名称为：用于嵌入式闪存装置的改进的通电次序的分案申请。本发明公开了用于嵌入式闪存装置内的改进的通电次序的系统和方法。背景技术使用浮栅来在其上存储电荷的闪存单元以及形成于半导体衬底中的此类非易失性存储器单元的存储器阵列，在现有技术中是众所周知的。通常，此类浮栅存储器单元一直是分裂栅类型或叠栅类型的。图1中示出一种现有技术的非易失性存储器单元10。分裂栅超快闪(SuperFlash,SF)存储器单元10包括第一导电类型(诸如P型)的半导体衬底1。衬底...
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