技术编号:17934606
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法。背景技术高质量的GaN缓冲层是GaN HEMT材料的工作基础,微波晶体管的夹断特性要求GaN缓冲层的剩余载流子浓度小于1015cm-3,现有的大多采用Fe掺杂的方法获得高阻率的GaN缓冲层。Fe掺杂具有很强的记忆效应,在生长Fe掺杂GaN材料时,关闭Fe源后,由于记忆效应的存在,会在随后生长的GaN材料中产生比较严重的拖尾现象,甚至会有Fe杂质进入到GaN材料的沟道中,影响电子迁移率。发明内容本发明实施例提供了一种氮化镓材料掺...
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