技术编号：17934609
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善闪存器件数据保存能力的方法。背景技术闪存(Flash Memory)是一种非易失性存储器，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，即使断电数据也不会丢失。通常搭载闪存器件的晶圆在包含等离子体化学气相沉积的过程中会在闪存器件内部及周围引入大量的移动电荷，这些移动电荷会使闪存器件的初始阈值电压分布很宽，而且会严重影响闪存器件的数据保存性能。因此，晶圆在封装测试前都会进行紫外光擦除，通过波长较短，能量较高的紫外光激发这些移动电荷，进一步地减少移动电荷密...
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