技术编号:17934840
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种3D NAND存储器的形成方法。背景技术NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品,在电子产品中得到了广泛的应用。目前,平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限,为了进一步的提高存储容量,降低每比特的存储成本,提出了3D结构的3D NAND存储器。现有的3D NAND存储器的制作过程包括:提供衬底,所述衬底上形成有隔离层和牺牲层交替层叠的堆叠结构;刻蚀所述堆叠结构,在堆叠结构中形成暴露出衬底表面的沟道孔;...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。