技术编号:17934879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体领域,具体而言,涉及图像传感器及其制造方法。背景技术为了提高图像传感器的分辨率,期望图像传感器的单位面积中能够集成越来越多的像素单元,相应地,像素单元的尺寸就需要不断减小,这对单个像素单元的性能带来了影响。例如,随着尺寸减小,像素单元的对通过辐射感测而产生的电荷的存储容量会降低,导致在高强光情况下出现晕光(blooming),引起图像失真。例如,当图像传感器中的某个像素单元接收到了高强度的辐射照射时,像素单元中的光电转换单元所产生的电荷(例如,电子e)超出了像素单元中用于存储电荷...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。