技术编号:17935092
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体器件领域,尤其涉及一种具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管。背景技术氮化镓材料作为第三代半导体材料的核心之一,相比Si和碳化硅(SiC)特殊之处在于其所具有极化效应。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG),这种二维电子气在异质结导电沟道中具有很高的迁移率,从而使AlGaN/GaNHEMTs具有很低的导通电阻。然而肖特基栅AlGaN/GaN ...
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