技术编号:17944701
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电子领域,具体涉及一种红外吸收掺杂硅及其制备方法。技术背景红外探测器是国家迫切的重大需求,在空间预警与探测、全天候信息感知与国民经济各方面都发挥着重要作用。传统的碲镉汞(MCT)红外探测器件,是比较成熟的,但是MCT材料稳定性与均匀性差。另外均匀性优的AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP),不能在垂直光照射下激发,与硅集成较难。而现代科技也在更多的领域需要宽光谱、高效率、价格低、稳定性好的探测器件。第一代硅基半导体材料由于价格低廉、热导性好、缺陷少、机械强度高,并...
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