技术编号:17944968
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件封装技术领域。更具体地,涉及一种碳化硅器件的封装结构。背景技术碳化硅材料具有禁带宽度宽、热导率高、饱和漂移速度大和临界击穿电场高等独特优点,因为优良的物理和电学特性,碳化硅材料成为制作高功率、高频率、耐高温、抗辐射器件的理想半导体材料。以SiC材料制备的电力电子器件是电力电子技术最为重要的发展方向,在军事和民事领域具有重要的应用前景。然而,同样因为其物理和电学特性,碳化硅功率器件一般工作在大电流高功率条件下,一个限制实现碳化硅及其它宽禁带半导体材料这种潜能的主要因素是可以提高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。