技术编号：17945306
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域。更具体地，涉及一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构、其制作方法、及碳化硅器件。背景技术当前，传统的硅基电力电子器件的水平基本上维持在109-1010W·Hz，已逼近了因寄生二极管制约而能达到的硅材料的极限。而碳化硅材料具有优良的物理和电学特性，以其宽的禁带宽度、高的热导率、大的饱和漂移速度和高的临界击穿电场等独特优点，成为制作大功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想半导体材料。碳化硅电力电子器件的击穿电压可达到硅器件的十倍，而导通电阻仅为硅器件的数十分之一。由于器件的...
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