技术编号:17945364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件技术领域,具体涉及一种横向功率MOS高压器件。背景技术横向功率LDMOS器件,即横向双扩散金属-氧化物-半导体器件,其广泛应用于功率集成领域,但是对于如何提高器件的击穿电压一直是人们长期关注的焦点问题之一,现有技术中提供了众多解决该问题的方案,其中RESURF(Reduced Surface Field,降低表面电场)技术和结终端技术(如横向变掺杂技术、表面降场层技术)是较为常用的技术。图1为典型的RESURF技术LDMOS器件结构,其中1为第1层P型衬底,4为N型有源层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。