技术编号：17946775
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于高掺杂硅单晶生长的气体导引装置。背景技术在半导体硅单晶中掺入一定量的掺杂剂以满足对其电性能的要求，对以电子为载流子的硅单晶，常见的掺杂剂有：磷(Phosphor)、砷(As)、锑(Sb)。相对硅的熔点而言，均为低熔点、磷、砷和锑均为低熔点、易升华挥发的元素。专利文献CN01136694.X公开了一种用于直拉单晶制备中的掺杂方法及其装置。在原料多晶硅熔化后形成的熔体上方，装载有掺杂剂的料斗降到熔体正上方，硅熔体的辐射热能使料斗中掺杂元素(磷、砷)升华，掺杂元素升华形成蒸汽吹向硅熔...
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