技术编号:17954841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于电力电子驱动电路技术领域,涉及一种SiC MOSFET驱动电路系统。背景技术近年来以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体电力电子器件取得了蓬勃发展,与硅(Si)器件相比,其具有更高的载流子饱和迁移率,因此有更高的临界场强、更高的热导率以及更低的通态损耗等优点。SiC MOSFET由于导通电阻小、开关速度快、耐压高,能够显著改善开关损耗和通态损耗,有利于提高变换器效率,因而被广泛应用于各类高温、高压和高开关频率场合。但SiC MOSFET驱动电路设计目前仍存在较多问题。由于SiC器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。