技术编号:17975356
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件的形成方法。背景技术在现有的半导体制造工艺中,为满足精细尺寸的工艺需求,通常采用干法刻蚀工艺实现。具体地,例如采用等离子体干法刻蚀(Plasma Dry Etch)工艺,将晶圆(Wafer)放入腔室(Chamber)中,通入刻蚀气体,并控制流量和压强,采用射频产生等离子体(Plasma),并用等离子体对晶圆进行刻蚀工艺。在具体实施中,需要精确控制是否达到刻蚀截止点(End Point),又称为终点,从而在适当的时机停止刻蚀。在现有技术中,部分工...
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