技术编号:17978218
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造加工技术领域,更具体地,涉及一种在进行CMOS图像传感器感光区N型杂质注入和传输晶体管P型杂质注入时的自对准注入制造方法。背景技术CMOS图像传感器广泛应用于监控,拍照等领域。CMOS图像传感器最基本的元素是一个PN结感光二极管及与其相连的传输晶体管。传输晶体管的电学要求是不能与PN结感光区的N型杂质区穿通,包括表面穿通和表面下穿通,否则会影响暗电流与PN结可容纳的电子数。PN结感光区的电学要求是不能在电子通道上有势垒出现,否则会影响器件暗光响应。请参阅图1,图1是一种CM...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。