技术编号：17989435
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及晶体生长安瓿位置调节技术领域，具体而言，涉及一种晶体生长安瓿位置调节装置及系统。背景技术水平管式晶体生长炉是一种常用的人工晶体生长设备，在物理气相输运法(PVT)、化学气相输运法(CVT)、水平布里奇曼法(HB)、水平温度梯度冷凝法(HGF)等多种晶体生长方法中有着重要的应用。这些方法的特点是将晶体生长安瓿放置在水平管式炉的水平炉腔中，加热管式炉使得水平炉腔内形成特定的温度场和温度梯度，构建出晶体生长的驱动力，从而实现晶体发育长大。在晶体生长过程中，人为的调节晶体生长界面在温度场中...
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