技术编号:18002434
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属硫化物合成领域。更具体地,涉及一种非层状金属硫化物纳米片及其制备方法。背景技术金属硫化物是一类常见的半导体。许多常见的金属硫化物具有较宽的带隙,如PbS、Cu2S、CdS等,因此在可见光区或近紫外区有较好的光吸收,加上合适的带边位置,使得这些金属硫化物具有优良高效的光响应活性。将体相的金属硫化物制成纳米片结构时,由于量子尺寸效应,金属硫化物的电子能带结构发生显著变化,在光催化材料、发光材料、传感器、太阳能电池、光电导原件等诸多方面均有着巨大的应用价值。对于MoS2、SnS2等部分硫...
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