技术编号:18005063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本说明书的实施例涉及一种电子模块,且更特别地涉及一种具有低回路电感的电子模块组件的强化设计。背景技术相比于使用硅、锗、砷化镓、磷化镓和硫化镉形成的半导体开关,用于在半导体开关中使用的新型半导体材料(诸如碳化硅(SiC))的出现允许在提高的切换速度以及提高的功率和电压电平下操作半导体开关。有利地,这样的半导体开关的使用允许形成较高效率的功率变换器。可在较高的切换速度下操作的这样的半导体开关需要将半导体开关与功率变换器中的其它构件互连的改进方式。另外,这样的互连部的电感在功率变换器的最佳操作方面起重...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。