技术编号:18005245
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及激光热处理领域,尤其是一种激光热处理装置和处理方法。背景技术激光热处理应用越来越广泛,主要领域包括:IC前道USJ、TFT的LTPS 激光晶化、IGBT背面退火和LED激光剥离等新兴应用领域。各应用领域工艺不同,对设备的需求也存在着差异。IGBT作为新型功率半导体器件又称绝缘栅双极型晶体管,是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。它问世近三十年,已做到8吋硅晶片、650...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。