技术编号:18005514
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2017年12月18日提交的申请号为10-2017-0173944的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。技术领域本发明的示例性实施例涉及半导体器件及其制造方法,并且更特别地,涉及一种包括高k材料和金属栅电极的晶体管以及该晶体管的制造方法。背景技术随着半导体器件在低电源电压和高速下运行,建议使用HKMG(高k金属栅极)结构。具有HKMG结构的晶体管可以包括栅电介质层,该栅电介质层包括具有比氧化硅(SiO2)更高的介电常数的高k材料。另外,HKMG晶体管可以包括包含金属层的栅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。