技术编号：18020785
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种半导体结构。背景技术动态随机存储器(DRAM)是应用非常广泛的半导体产品，其基本存储单元包括一存取晶体管和一电容。随着半导体特征尺寸的不断减小，电容接触节点的面积越来越小，制作难度越来越大。光刻工艺的对准偏差和蚀刻工艺难度的增加严重影响存储器电容接触节点的电学可靠性，导致电容接触电极断路或与相邻接触电极发生短路，降低存储器芯片良率。实用新型内容鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体结构，用于解决现有技术中存储器电容接触节点...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。