技术编号:18020791
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种存储器结构。背景技术近年来,闪存(Flash Memory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息,且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点,因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(Bit Density),同时减少位成本(Bit Cost),三维的闪存存储器(3D NAND)技术得到了迅速发展。3D NAND的存储阵列形成于衬底表面,所述衬底通常为P型衬底,所...
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