技术编号:1803368
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体和场发射材料的制备方法,特别是。背景技术金刚石薄膜是一种理想的半导体和场发射材料。与Si、GaAs、SiC等相比,其在热学、光学、声学、电学等方面具有更为优异的综合性能,因而在微电子、光电子、航空航天、核能、军事等领域有着十分广阔的应用前景。目前,以硼为掺杂剂、用化学气相沉积(CVD)法生长的P型金刚石薄膜半导体(激活能0.37eV,电阻率最小已达到10_2Ω ·_,空穴迁移率达ΙδΟΟοπ^νΗ Γ1)已能满足器件应用要求,但η型金刚...
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