技术编号:18041562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路设计领域,尤其是涉及一种低压降高输出电阻镜像电流源电路。背景技术CMOS工艺中,基本镜像电流源由两个相互匹配的MOS管组成,其中一个MOS管按照二极管方式连接并接入参考电流源,另一个MOS管的漏极为电流输出端,当其漏源电压(即电流源输出压降)大于漏源饱和压降(VDSAT)时输出相对稳定的电流,输出电流与输入电流的比值等于相互匹配的MOS管的尺寸比例。基本镜像电流源的高输出电阻主要是通过电流输出MOS管较大的漏源电压和较长的沟道长度保证的。然而,深亚微米CMOS工艺下MOS管的沟...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。