技术编号：18064004

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本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。本申请基于2017年12月22日在日本申请的专利申请2017-246784号要求优先权，将其内容援引至此。背景技术碳化硅(SiC)与硅(Si)相比，绝缘击穿电场大一个数量级，带隙大3倍。另外，碳化硅(SiC)与硅(Si)相比具有热导率高3倍左右等特性。期待着碳化硅(SiC)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。在半导体等的器件中使用了在SiC晶片上形成有外延膜的SiC外延晶片。在SiC晶片上通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposi...
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