技术编号:18064871
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及高纯半导体金属材料的提纯,以及高纯的单晶材料的生长。背景技术《区域熔炼制备高纯金属的综述》阐明了采用区域熔炼制备高纯金属的理论和方法。区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一个熔区,再熔接单晶籽晶,调节温度让熔区缓慢地向棒料的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。用此法制备单晶时,设备简单,与提纯过程同时进行又可得到纯度很高和杂质分布十分均匀的锗晶体。但因与舟接触,难免有舟成分的沾污,且不易制得完整性高的大直径锗单晶。生长单晶体的关键在于,将棒状多晶锭熔化一窄...
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