技术编号:1808081
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种室温下原位合成砸化银半导体光电薄膜材料的化学方法本发明属于材料化学,尤其涉及一种室温下大面积合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法。背景技术1-VI族二元化合物Ag2Se是一种具有高载流子浓度(大约为1019cm_3)和高电荷迁移率(yn=1990Cm2/Vs)的η型半导体材料;该材料具有高温稳定相(α相)和低温稳定相(β相),相变温度135°C,其中高温稳定相具有快离子导体的性质,可以被用作固态电解质,低温稳定相具有较高的塞贝克系数、较高的电导率和较...
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