技术编号:18093830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年12月27日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0181523号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部公开内容以引用方式并入本文中。技术领域按照示例实施例的方法和设备涉及半导体晶片,并且更具体地,涉及具有斜面部分的半导体晶片。背景技术可通过对半导体晶片执行半导体制造工艺来制造半导体芯片(半导体集成电路)。半导体制造工艺包括薄膜沉积工艺、光刻胶膜涂布工艺、蚀刻工艺和离子注入工艺。当执行半导体制造工艺时,薄膜或光刻胶膜保留在位于半导体晶片的外周缘(周围)处的斜面部分(倾...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。