技术编号:18121075
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料自备技术领域,具体涉及一种锑化铟纳米线制备方法。背景技术近几年信息技术蓬勃发展,电子产品已经成为人们生活中不可或缺的部份。目前数据存储元件分为挥发性以及非挥发性内存二大类。挥发性存储元件是需要靠电流维持的内存,当供应电流中断后,所储存的数据便完全消失,大多制作成随机存储器,主要作为计算机应用程序临时数据的储存介质。而非挥发性内存不需要靠电流维持,储存在内存数据可以藉由通入电流进行改写,通常应用在只读存储器以及闪存。挥发性存储器因漏电而造成大量能量损失,而非挥发性存储器可改善漏电...
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