技术编号:18125360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本专利文件涉及添加到设备的寄存器,更具体地,涉及添加到随机存取存储器(RAM)的寄存器。本文描述的方法和设备在自旋转移力矩磁存储器(STT-MRAM)设备中尤其有用。背景技术磁阻随机存取存储器(“MRAM”)是一种通过磁存储元件存储数据的非易失性存储器技术。这些磁存储元件是两个铁磁板或电极,它们可以保持磁场并由非磁性材料隔开,例如非磁性金属或绝缘体。通常,其中一个板具有其磁化固定(即,“参考层”),这意味着该层具有比另一层更高的矫顽力(coercivity)并且需要更大的磁场或自旋极化电流来改变...
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