晶片的缺陷测量装置的制作方法技术资料下载

技术编号:18126532

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本发明涉及一种用于测量晶片缺陷的装置,该装置防止由晶片的接触引起的污染,并且还测量晶片的上表面、下表面和侧表面上的缺陷。背景技术晶片通常经历多个处理过程,并且在每个过程的操作中可能产生缺陷,诸如污染、裂纹和划痕。因为晶片表面上产生的缺陷可能具有不良影响,诸如装置加工中产生缺陷和产量降低,所以在晶片制造过程期间进行各种晶片检查。在相关领域中,目视检查晶片缺陷。然而,因为目视检查可靠性较低并且可能另外产生晶片缺陷,所以由单独装置自动检查晶片缺陷。公布号为2010-0042340的韩国专利公开了一种检...
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