技术编号:18126627
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造方法,特别是涉及一种改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法。背景技术在半导体晶片最后的铜导线制程中,由于四甲基硅烷(4MS,Tetramethylsilane)与胺(NH3)反应会形成氮掺杂的碳化物,并以此作为后续刻蚀的保护层(牺牲层)且可防止水气及氧接触到铜而氧化了,但反应后的表面因含有未反应完全而产生硅-碳-氢-氮的化合物,这会使得表面变成疏水性质,而在后续的喷水清洁的步骤后,会因为疏水的特性而造成水痕的现象(wafer mark),水痕在后续的堆叠层叠上去之后就...
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