技术编号:18174982
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一发光元件及其制造方法,尤其是涉及一具有一扩散区域及一非扩散区域的一透明导电氧化层的发光元件及其制造方法。背景技术发光二极管(LED)是一种固态半导体元件,发光二极管(LED)的结构包含一p型半导体层、一n型半导体层与一发光层,其中发光层形成于p型半导体层与n型半导体层之间。LED的结构包含由Ⅲ-Ⅴ族元素组成的化合物半导体,例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN),其发光原理是在一外加电场作用下,利用n型半导体层所提供的电子与p型半导体层所提供的空穴在发光层的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。