技术编号:18180733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路装置及其制造方法,且特别涉及一种具有气氛调节层的半导体装置及其制造方法。背景技术在半导体晶圆上执行各种热处理以达成与介面及半导体晶圆的有效反应,同时形成半导体装置。随着半导体装置尺寸按比例缩小,处理及制造半导体装置的复杂性已由于受限的热预算要求而增大,该热预算要求与热处理的处理时间及温度有关。根据半导体装置的可靠性的观点来看,使用高温的热处理为有利的。然而,由于受限的热预算,此种热处理必须在短时间之内执行,从而可导致不良的半导体装置效能。因此,必须不断改良半导体装置形成方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。