技术编号：18185630
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，涉及一种等离激元纳米腔及其制备方法与应用，具体涉及一种产生双激子的等离激元纳米腔及其制备方法与应用。背景技术激子是固体中的一种基本的元激发，是由库伦互作用互相束缚着的电子-空穴对。半导体吸收一个光子后，电子由价带跃迁至导带，但是电子由于库伦作用仍然和价带中的空穴联系在一起。激子对描述半导体的光学特性有重要意义，自由激子束缚在杂质上形成束缚激子。激子效应对半导体中的光吸收、发光、激射和光学非线性作用等物理过程具有重要影响，并在半导体光电子器件的研究和开发中得到了重要的应用...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。