技术编号：18199085
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及多晶硅生产工艺设备技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉的绝缘构件。背景技术目前，多晶硅生产主要采用在还原炉中采用高压击穿方式使硅芯成为导体，提升电流使硅芯温度快速上升，于1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上，生成多晶硅棒。因此，多晶硅还原炉对电极的绝缘保护要求高。目前国内主要采用整体式聚四氟乙烯套与陶瓷隔热环联用来对电极进行绝缘保护。整体式结构的聚四氟乙烯套其优点是结构简单、绝缘性能好。但是，由于四氟材料耐高温性能较差，最高只能耐250℃，而炉内...
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