技术编号：18213039
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路光刻技术领域，具体为一种光刻胶粘附剂、制备方法及使用方法。背景技术光刻工艺是制作集成电路微图形结构的关键工艺技术，光刻工艺流程主要包括曝光、显影、刻蚀或淀积三个主要步骤，光刻加工原理与印刷技术中的照相制版类似，在硅(Si)半导体基体材料上涂覆光致抗蚀剂，然后利用紫外光束等通过掩膜对光致抗蚀剂层进行曝光，经显影后在抗蚀剂层获得与掩膜图形相同的极微细的几何图形，再经刻蚀等方法，便在Si基材上制造出微型结构。如图1所示，光刻工艺流程中的曝光与显影步骤为：在Si晶圆片1的表面氧化形成一...
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