技术编号:18219627
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及半导体基材的制造方法。背景技术在制造半导体基材时,会有利地利用半导体基材的评价结果。作为半导体基材评价方法的一例,有一种光致发光(PL)评价法。在该PL评价法中,激发光辐射到半导体基材的表面上,检测被激发光激发的电子/空穴对重组时所产生的光,以获得关于半导体基材质量的信息,例如关于各种晶体缺陷的信息如金属污染或半导体基材中的缺陷。然而,在常规的PL评价法中,会由于半导体基材的外部污染和半导体基材的加工状态而发生表面重组损失,导致不能准确地评价半导体基材是否受污染或其污染程度。...
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