技术编号:18221630
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成领域,特别是一种翻译器设备。背景技术动态随机存取存储器DRAM和闪存Flash存储器技术已发展多年,DRAM和Flash的基本技术基本上保持不变,只是接口随时间变化不断更新,例如快速页面模式(FPM),扩展数据输出(EDO),同步DRAM(SDRAM),双倍数据速率1-4(DDR1,DDR2,DDR3,DDR4)等。图1显示了DRAM的基本架构。外部提供的行地址被解码并导致字线WL的激活,例如,连接到8192个单独的存储单元的门。这将会开始一个感测过程,放大那些微弱的信号,如...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。