技术编号:18223056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高电子迁移率晶体管领域,特别涉及一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法。背景技术基于AlGaN(氮化铝镓)/GaN(氮化镓)异质结构的HEMT(High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管)具有高的电流密度、临界击穿电压和电子迁移率,在微波功率和高温电子器件领域具有十分重要的应用价值。HEMT通常包括芯片和位于芯片上的源极、漏极和栅极。芯片由外延片得到。外延片的结构一般包括,衬底和顺次层叠在衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。