技术编号:18235850
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备制造技术领域,具体涉及一种等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备。背景技术在等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVapor Deposition;PECVD)制程中膜厚均一性是一项重要参数,而膜厚均一性的好坏一定程度上取决于腔室内气体浓度分布。目前主流的CVD供气系统中腔室内气体相对浓度的分布是相对固定的,不能根据实际需要改变腔室内不同位置的气体相对浓度;同时,在清洗过程中清洗气体分布也存在此现象,易造成边缘清洗不干净。在横向电场中...
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