技术编号:1831871
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路存储器芯片生产制造中的金属沉积前的介电质层(PMD,Pre-Metal Dielectric)填孔工艺,尤其涉及一种掺杂硼磷的硅玻璃(SAT BPSG,boron and phosphor-doped oxides)填孔工艺。背景技术 目前硅单元器件尺寸不断向深亚微米的方向发展,对于PMD工艺阶段的填孔性要求也随之变高,尤其是一些存储器的产品,其PMD的填孔性高宽比(Aspect Ratio)更要高达10∶1,利用目前常用的一些工艺已...
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