技术编号:1833116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,所述组合物具有抗还原性,1000或1000以上的比电容率,满足EIA标准中X8R特性(在-55-150℃内,Δ=±15%)的电容-温度特性,小的介电损耗,高的电容率,高的绝缘电阻和极高的温度加速寿命特性。 背景技术 多层陶瓷电容器被广泛用作小型、大电容、高可靠性电子装置,一个电子装置中所用的数量很大。近年来,随着装置的小型化和高性能,对更小型化、大电容、低成本和高可靠性多层陶瓷电容器的需求越来越迫切。对于具有高电容率和平坦电容-温度特性的介电陶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。