技术编号：18354285
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种真空设备的抽气系统。背景技术摩尔定律强势推动下以FinFET(鳍式场效应晶体管)为主的14纳米代高性能、低功耗器件早已进入我们的生活。为了避开微细的粉尘、各种水气等杂物，大部分芯片加工是在真空设备上完成的。常见的真空的设备有：等离子刻蚀机(dry etcher)、原子层刻蚀机(ALE)、化学气相沉积机台(CVD)、原子层沉积机台(ALD)、物理气相沉积机台(PVD)、无水氟化氢气相腐蚀机(Anhydrous vapor HF etcher)等。目前的真空设备...
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