技术编号：18354411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种测试电路，特别是涉及一种存储器余量测试电路。背景技术EEPROM由于具有较高的耐久性(endurance)要求，比如500K，这样就必须用较高的测试标准去测试。比如读1的余量测试时候的参考电流就很高，比如40uA。而正常读(normal read)的参考电流大概8uA。Marign1测试时候的参考电流远远高于正常读(normal read)时候的参考电流。如图1所示，现有技术的存储器余量测试电路包括高压隔离(Isolation nmos)模块11、列译码(YMUX)模块12、存储阵...
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